据Factiva报导，全球第二大半导体厂三星将投注6.42亿美元预算，扩增三星位于Giheung现有内存产能，未来新增产能将以生产闪存芯片为主。鉴于三星这一巨额投资的动作，业内人士指出，明年闪存产能积极扩充，FLASH价格战恐将一触即发。

　　据三星呈交南韩官方资料显示，用于储存手机资料的闪存需求不断增加，三星董事会因而决议扩增闪存能。对此业者认为，闪存市场大饼本已愈作愈大，明年供应商如继续加大投资，市场将难避免价格战的阴影。

　　经历过去年获利大增长的闪存市场，在今年原有供货商过度扩充产能及抢夺市占率的高度竞争下，价格由年初跌到年底，毛利率也由天上摔到地上，到年底时部分产品的价格甚至已接近成本。在此降价潮下，业者表示明年DRAM厂开始跨足NAND及NOR市场后，为争抢市场份额，笼罩在供过于求阴影下的NAND市场，价格战很可能是一触即发。

　　而观察今年一年的闪存市况，之所以会出现大幅跌价趋势，业者分析主要原因之一就是DRAM厂商的多产品策略，积极介入非DRAM的闪存市场。以NAND芯片为例，去年主要供货商仅三星、东芝二大厂，就算不断扩产还是维持高价格、高毛利率，但今年随着美光、英飞凌、Hynix等开始介入，NAND芯片价格也开始出现暴涨暴跌的变化。

　　展望明年，NAND闪存市场仍有陷入供给过剩泥沼的可能。由于原本各自为政的NAND 或NOR供应业者，开始互相介入对方领域，目前NAND和DRAM市场都显得相当混乱。预计在供应过剩及价格战阴影的双重压力下，明年闪存芯片是否精彩可期仍是个值得疑惑的问题。