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芯片多内核工艺获得巨大突破 AMD再抢占先机

    据港台媒体报道 AMD与IBM共同宣布,已突破应变型硅晶(strained silicon)漏电问题,可在相同耗电量上一举提升晶体管效能24%,显示其下一代双核心及多核心架构处理器技术优势。与此同时,英特尔决定将2006年双核心处理器在桌上型计算机(DT)市场出货比重,由原先目标40%调高到70%。

  AMD表示,此一新技术可在相同耗电量下,提升晶体管效能达24%,最快2005年上半就会应用在90纳米工艺的Athlon64处理器中,2005年中旬推出的双核心Opteron处理器也会采用此技术,并逐渐整合至全线90纳米工艺产品;至于IBM方面,也会在Power系列处理器导入这一新技术。

  由于半导体工艺已经进入90纳米以下时代,晶体管愈做愈小,厂商也面临漏电、效能等棘手问题,因而纷纷寻求SOI及应变型硅晶等新兴材料,作为解决之道。AMD与IBM近期也开始研究整合SOI及应变型硅晶材料的新技术,并已取得突破进展,透过新的制造技术,不但可缩小所产出晶体管面积,并可提升性能及减少耗电。

  结合应变型硅晶与绝缘层上覆硅(silicon-on-insulator;SOI)工艺技术,可望提高晶体管效能达24%,AMD与IBM这项重大突破,在技术进程上明显较英特尔快了一步。SOI技术由IBM所研发成功,其在硅芯片添增氧化物绝缘层,以降低电源|稳压器消耗,减少电流流失,并加快IC处理速度;AMD的90纳米SOI工艺技术,便是与IBM共同合作开发,目前采用90纳米SOI应变型硅晶工艺的Opteron及Athlon64处理器,已开始小量供货。

  与AMD和IBM相比,英特尔在这方面稍显落后,但在2004年也明显加速了步伐。此前,该公司曾宣布取消包括LCOS芯片等产品开发计划,以全力冲刺双核心处理器开发。

  目前AMD的双核心产品已进入试产阶段,英特尔则是在日前的Analyst Day中,向投资人动态展示Smithfield及Yonah这2款DT及NB版的双核心产品,并称要加快开发步伐,将双核心处理器上市时间由2006年提前至2005年中旬左右全面上市。

  此外,英特尔也面临对手产能布局的竞争压力,AMD与IBM合作层次除工艺技术不断演进外,2005年中也将开始在德国Dresden的Fab36 12吋晶圆厂,导入65纳米工艺,进度与英特尔65纳米工艺脚步差不多,依照AMD的规划,已在2004年5月新厂落成剪彩的Fab36,2005年中即会开始装机试转,2006年上半完成65纳米工艺的商业化生产运转。

  为配合新厂落成,AMD也与新加坡特许(Chartered)签订Athlon64处理器代工合作协议,2006年起将正式释出64位的Athlon64处理器代工订单给特许,因此,2006年起AMD的整体产能在IBM的扶助下,将会出现大幅度跃进。这也使得英特尔将2006年DT双核心处理器产出比重目标,由40%提升到70%,以便在AMD新一代产能全开以前,在市场上取得领先优势。

  部分主板公司表示,DT市场短期内对于双核心架构需求并不大,但以英特尔目前展示的Smithfield样本,对于系统的散热能力要求极高,尽管英特尔方面保证产品上市时将有所改善,不过,双核心CPU的散热问题俨然已超越性能提升幅度,将成为下游PC厂商最关心的事。